低溫非晶態鎢摻雜氧化銦薄膜電晶體技術之研究

標題:	低溫非晶態鎢摻雜氧化銦薄膜電晶體技術之研究 Study on Low Temperature Amorphous Tungsten doped Indium Oxide Thin Film Transistor Technology
作者:	陳柏文劉柏村 Chen, Po-Wen Liu, Po-Tsun 光電工程研究所
關鍵字:	薄膜電晶體;銦鎢氧;銦鎵鋅氧;保護層;低溫製程;thin film transistor;IWO;IGZO;passivation;low-temperature
公開日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070350521 http://hdl.handle.net/11536/139889
Appears in Collections:	Thesis