標題: 氧化鋯電阻式記憶體元件之熱相關研究
The Thermal-Related Study on ZrO2-Based Resistive Switching Memory Devices
作者: 蔡宗霖
曾俊元
Tsai, Tsung-Ling
電子研究所
關鍵字: 電阻式記憶體;氧化鋯;熱;resistive switching memory;ZrO2;thermal
公開日期: 2016
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT079911544
http://hdl.handle.net/11536/140154
顯示於類別:畢業論文