金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李承鴻	zh_TW
dc.contributor.author	曾俊元	zh_TW
dc.contributor.author	Lee, Cheng-Hung	en_US
dc.contributor.author	Tseng,Tseung-Yuen	en_US
dc.date.accessioned	2018-01-24T07:40:30Z	-
dc.date.available	2018-01-24T07:40:30Z	-
dc.date.issued	2017	en_US
dc.identifier.uri	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070450118	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/141315	-
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.subject	金屬氧化物	zh_TW
dc.subject	選擇器	zh_TW
dc.subject	電阻式記憶體	zh_TW
dc.subject	metal oxide	en_US
dc.subject	selector	en_US
dc.subject	rram	en_US
dc.title	金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究	zh_TW
dc.title	Investigation on ZrO2-based RRAM with metal-oxide selector	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文