金屬氧化物場效電晶體與氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體脈衝波測試與分析

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	黃昭華	zh_TW
dc.contributor.author	成維華	zh_TW
dc.contributor.author	鄭時龍	zh_TW
dc.contributor.author	Huang,Chao-Hua	en_US
dc.contributor.author	Chien,Wei-Hua	en_US
dc.contributor.author	Jeng,Shyr-Long	en_US
dc.date.accessioned	2018-01-24T07:41:29Z	-
dc.date.available	2018-01-24T07:41:29Z	-
dc.date.issued	2017	en_US
dc.identifier.uri	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070451111	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/141891	-
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	金屬氧化物場效電晶體	zh_TW
dc.subject	氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體	zh_TW
dc.subject	MOSFET	en_US
dc.subject	GaN HEMT	en_US
dc.title	金屬氧化物場效電晶體與氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體脈衝波測試與分析	zh_TW
dc.title	MOSFET and GaN HEMT Pulse Test and Analysis	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	機械工程系所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文