統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體之閘極介電質優化 | 4 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體之閘極介電質優化 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 德國 | 1 |
| 美國 | 1 |
| 越南 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Buffalo | 1 |
| Hanoi | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體之閘極介電質優化 | 4 |
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體之閘極介電質優化 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 0 |
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| 德國 | 1 |
| 美國 | 1 |
| 越南 | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| Buffalo | 1 |
| Hanoi | 1 |