單層二硒化鎢電晶體：元件製作與變偏壓下之光學特性

標題:	單層二硒化鎢電晶體：元件製作與變偏壓下之光學特性 Monolayer WSe2 field effect transistor：Device fabrication and bias dependent optical properties
作者:	黃偉萍張文豪 Huang, Wei-Ping Chang, Wen-Hao 電子物理系所
關鍵字:	二硒化鎢;電晶體;過渡金屬二硫族化物;二維材料;Tungsten diselenide;field-effect transistor;transition metal dichogenide;two-dimensional material
公開日期:	2015
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070252062 http://hdl.handle.net/11536/143303
顯示於類別：	畢業論文