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標題: 利用tSMC 0.35μm製程設計背閘極酸鹼離子感測場效電晶體
Using tSMC 0.35μm Process to Design Back Side Gate Field Effect Transistors for pH
作者: 范書源
陳宗麟
Fan,Sue-Yuan
Chen,Tsung-Lin
工學院精密與自動化工程學程
關鍵字: 離子感測場效電晶體;CMOS-MEMS;TCAD;tSMC 0.35μm process;ISFET;CMOS-MEMS;TCAD;tSMC 0.35μm process 2p4m
公開日期: 2015
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070161103
http://hdl.handle.net/11536/143325
Appears in Collections:Thesis


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