統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Suppression of the boron penetration induced dielectric degradation by using a stacked-amorphous-silicon film as the gate structure for pMOSFET | 106 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Suppression of the boron penetration induced dielectric degradation by using a stacked-amorphous-silicon film as the gate structure for pMOSFET | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| A1996TU66500016.pdf | 4 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 9 |
| 巴西 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 94 |
| Menlo Park | 6 |
| Kensington | 3 |
| Beijing | 1 |