統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Gate-First TaN/La2O3/SiO2/Ge n-MOSFETs Using Laser Annealing | 1 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Gate-First TaN/La2O3/SiO2/Ge n-MOSFETs Using Laser Annealing | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 |
|---|
縣市瀏覽排行
| 檢視 |
|---|
| 檢視 | |
|---|---|
| Gate-First TaN/La2O3/SiO2/Ge n-MOSFETs Using Laser Annealing | 1 |
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Gate-First TaN/La2O3/SiO2/Ge n-MOSFETs Using Laser Annealing | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
| 檢視 |
|---|
| 檢視 |
|---|
| 檢視 |
|---|