| 標題: | 半導體裝置結構 |
| 作者: | 莊紹勳 謝易叡 趙堉斌 潘正聖 |
| 公開日期: | 16-六月-2017 |
| 摘要: | 本揭露提供半導體裝置結構與其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構於半導體基板中。半導體裝置結構亦包括通道層於半導體基板上。通道層的第一部份覆蓋部份源極結構。通道層的第二部份橫向地延伸出源極結構。半導體裝置結構更包括汲極結構於半導體基板上。汲極結構與源極結構具有不同的導電型態。汲極結構鄰接通道層的第二部份。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/336 H01L029/02 H01L029/66 H01L029/78 H01L029/786 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/151372 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201721763 |
| 顯示於類別: | 專利資料 |

