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學術出版;;Publications
專利資料;;Patents
半導體裝置結構
半導體裝置結構
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Files
201721763.pdf
(1.76 MB)
Date
2017-06-16
Authors
莊紹勳
謝易叡
趙堉斌
潘正聖
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
DOI
Abstract
本揭露提供半導體裝置結構與其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構於半導體基板中。半導體裝置結構亦包括通道層於半導體基板上。通道層的第一部份覆蓋部份源極結構。通道層的第二部份橫向地延伸出源極結構。半導體裝置結構更包括汲極結構於半導體基板上。汲極結構與源極結構具有不同的導電型態。汲極結構鄰接通道層的第二部份。
Description
Keywords
Citation
URI
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/151372
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