標題: 半導體裝置結構
作者: 莊紹勳
謝易叡
趙堉斌
潘正聖
公開日期: 16-六月-2017
摘要: 本揭露提供半導體裝置結構與其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構於半導體基板中。半導體裝置結構亦包括通道層於半導體基板上。通道層的第一部份覆蓋部份源極結構。通道層的第二部份橫向地延伸出源極結構。半導體裝置結構更包括汲極結構於半導體基板上。汲極結構與源極結構具有不同的導電型態。汲極結構鄰接通道層的第二部份。
官方說明文件#: H01L021/336
H01L029/02
H01L029/66
H01L029/78
H01L029/786
URI: http://hdl.handle.net/11536/151372
專利國: TWN
專利號碼: 201721763
顯示於類別:專利資料


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