完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 劉柏村 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張志睿 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 張智翔 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:00:55Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:00:55Z | - |
| dc.date.issued | 2017-08-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151387 | - |
| dc.description.abstract | 一種薄膜電晶體的製造方法，包含以下步驟：(a)於一基板單元上沉積一閘極絕緣層；(b)於該閘極絕緣層上依序沉積形成一氧化銦鎢通道層，及一氧化銦鎢隔離層，其中，該氧化銦鎢通道層及該氧化銦鎢隔離層是於同一濺鍍製程形成，且形成該氧化銦鎢隔離層時的氧分壓大於形成該氧化銦鎢通道層時的氧分壓；(c) 沉積二彼此相間隔且部分覆蓋該氧化銦鎢隔離層及該閘極絕緣層的源極層與汲極層；及(d)沉積一覆蓋該閘極絕緣層、該氧化銦鎢隔離層、該源極層，及該汲極層的鈍化層，並讓該源極層與該汲極層分別露出一表面。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 薄膜電晶體的製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201727757 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
