一種用於超高電壓操作之半導體裝置及其形成方法

Abstract

本發明提供一種用於超高電壓操作之半導體裝置及其形成方法。此半導體裝置包含具有常開型通道之基板、負電容材料層、閘極、源極和汲極。此負電容材料層係位於基板之上，且能調變半導體裝置之臨界電壓，使此常開型通道轉變為常閉型通道，進而使此半導體裝置之操作模式由空乏模式轉變為增強模式。此半導體裝置也包含高介電常數之閘極介電層位於負電容材料層與基板之間，以降低漏電流和改善待機功率消耗。此外，也可於此閘極介電層與負電容材料層之間形成一層閘極層，以形成雙閘極結構。此半導體裝置更包含離子植入層位於閘極下方之基板之中。此外，上述之技術特徵或結構可形成於具有閘極凹陷結構之半導體裝置之中。