完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張俊彥 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:04:13Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:04:13Z | - |
| dc.date.issued | 2017-11-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/10 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/66 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/105 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151402 | - |
| dc.description.abstract | 一種場效電晶體結構，包括：基底、內部閘極、絕緣層、半導體帶、閘介電絕緣結構以及閘導體結構。內部閘極包括位於基底上的層狀部以及自層狀部延伸的牆部。絕緣層位於內部閘極的層狀部上。半導體帶位於牆部與部分絕緣層上，其中半導體帶包括源極/汲極區以及與源極/汲極區相鄰的通道區。閘介電絕緣結構位於通道區上。閘導體結構位於閘介電絕緣結構上。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 場效電晶體結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201739048 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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