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dc.contributor.author邱俊誠zh_TW
dc.contributor.author蔡尚瑋zh_TW
dc.date.accessioned2019-04-11T06:11:51Z-
dc.date.available2019-04-11T06:11:51Z-
dc.date.issued2018-03-16en_US
dc.identifier.govdocB81C001/00en_US
dc.identifier.govdocB81B007/02en_US
dc.identifier.govdocG01N027/16en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/151459-
dc.description.abstract一種半導體氣體感測裝置的製作方法,包含半成品準備步驟、氣體感測槽形成步驟,及感測膜形成步驟。半成品準備步驟是準備氣體感測半成品,包括具有第一面與第二面的基板、分別形成在第一面的迴授電路單元,及加熱感測單元,加熱感測單元具有由第一面依序設置第一絕緣層、感測電極、第二絕緣層、微加熱器,及第三絕緣層。氣體感測槽形成步驟從第二面蝕刻基板至第一絕緣層,讓感測電極露出,形成與該微加熱器反向的氣體感測槽。感測膜形成步驟形成覆蓋感測電極的感測膜。本發明還提供以前述方法製成的半導體氣體感測裝置。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title半導體氣體感測裝置的製作方法及其半導體氣體感測裝置zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNen_US
dc.citation.patentnumber201808785en_US
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