完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 邱俊誠 | zh_TW |
dc.contributor.author | 蔡尚瑋 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:11:51Z | - |
dc.date.available | 2019-04-11T06:11:51Z | - |
dc.date.issued | 2018-03-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | B81C001/00 | en_US |
dc.identifier.govdoc | B81B007/02 | en_US |
dc.identifier.govdoc | G01N027/16 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151459 | - |
dc.description.abstract | 一種半導體氣體感測裝置的製作方法,包含半成品準備步驟、氣體感測槽形成步驟,及感測膜形成步驟。半成品準備步驟是準備氣體感測半成品,包括具有第一面與第二面的基板、分別形成在第一面的迴授電路單元,及加熱感測單元,加熱感測單元具有由第一面依序設置第一絕緣層、感測電極、第二絕緣層、微加熱器,及第三絕緣層。氣體感測槽形成步驟從第二面蝕刻基板至第一絕緣層,讓感測電極露出,形成與該微加熱器反向的氣體感測槽。感測膜形成步驟形成覆蓋感測電極的感測膜。本發明還提供以前述方法製成的半導體氣體感測裝置。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 半導體氣體感測裝置的製作方法及其半導體氣體感測裝置 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
dc.citation.patentnumber | 201808785 | en_US |
顯示於類別: | 專利資料 |