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dc.contributor.author張 翼en_US
dc.contributor.author劉 世謙en_US
dc.contributor.author▲黄▼ 崇▲カイ▼en_US
dc.contributor.author▲呉▼ 佳勳en_US
dc.contributor.author韓 秉承en_US
dc.contributor.author林 岳欽en_US
dc.contributor.author謝 廷恩en_US
dc.date.accessioned2019-04-11T06:15:21Z-
dc.date.available2019-04-11T06:15:21Z-
dc.date.issued2018-06-21en_US
dc.identifier.govdocH01L021/338en_US
dc.identifier.govdocH01L029/778en_US
dc.identifier.govdocH01L029/812en_US
dc.identifier.govdocH01L021/336en_US
dc.identifier.govdocH01L029/78en_US
dc.identifier.govdocH01L021/8246en_US
dc.identifier.govdocH01L027/105en_US
dc.identifier.govdocH01L029/788en_US
dc.identifier.govdocH01L029/792en_US
dc.identifier.govdocH01L021/28en_US
dc.identifier.govdocH01L021/316en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/151463-
dc.description.abstract【課題】閾値を６Ｖよりも大きくし、誤起動の発生を効果的に避ける半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基材１１０と、チャネル層１２０と、バリア層１３０と、溝と、電荷トラップ層２２０と、強誘電体材料２３０と、ゲート２５０と、ソースＳと、ドレインＤと、を含む。チャネル層１２０は、基材１１０に配置される。バリア層１３０は、チャネル層１２０に配置される。バリア層１３０は溝を有し、且つ、溝の下方のバリア層１３０は、厚さを有する。ドレインＤとソースＳは、バリア層１３０に配置される。電荷トラップ層２２０は、溝の底面を覆う。強誘電体材料２３０は、電荷トラップ層２２０に配置される。ゲート２５０は、強誘電体材料２３０に設けられる。【選択図】図４Ａen_US
dc.language.isoen_USen_US
dc.title半導体装置及びその製造方法en_US
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryJPNen_US
dc.citation.patentnumber2018098478en_US
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