標題: 半導體裝置的製造方法
作者: 侯拓宏
潘正聖
劉邦軒
公開日期: 1-七月-2018
摘要: 一種包含場效電晶體裝置的半導體裝置,包含基板與在基板上的二維材料所製成的通道結構。多個源極與汲極接觸部分地形成於二維材料上。第一介電層至少部分地形成在通道結構上且至少部分地形成在源極與汲極接觸上。第一介電層用以捕獲多個電荷載子。第二介電層形成於第一介電層上,且閘極電極形成於第二介電層上。
官方說明文件#: H01L021/28
URI: http://hdl.handle.net/11536/151476
專利國: TWN
專利號碼: 201824375
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 201824375.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。