完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 莊紹勳 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 謝易叡 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:20:34Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:20:34Z | - |
| dc.date.issued | 2018-10-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/115 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/76 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L045/00 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | G11C016/06 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151489 | - |
| dc.description.abstract | 本記憶體的第一儲存單元包括第一阻變式電晶體以及第一控制電晶體。第一儲存單元可使用第一阻變式電晶體進行儲存，從而做為快閃記憶體(flash memory)來使用。第二阻變式電晶體與第二控制電晶體可組成與第一儲存單元雷同的的第二儲存單元。隔離電晶體連接在第一儲存單元和第二儲存單元之間。然後，多個與上述相同架構的儲存單元可串聯並形成陣列。多個陣列可再形成為一個記憶體電路。隔離電晶體可具有與第一及第二控制電晶體相同的結構，其用以防止記憶體電路中的溜徑電流。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 非揮發性記憶體及其操作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201838156 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
