完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 鄭晃忠 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 廖湛宇 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 李一劭 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 吳俊毅 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 王冠宇 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:20:40Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:20:40Z | - |
| dc.date.issued | 2019-01-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/268 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/324 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/78 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151514 | - |
| dc.description.abstract | 一種製造多晶半導體薄膜的方法，包含：形成半導體層於基板上；形成覆蓋層於半導體層上；使用雷射光穿透覆蓋層，加熱半導體層使半導體層部分熔融，其中未熔融之另一部分包含多個固態顆粒；以及移除雷射光，使熔融部分之半導體層以固態顆粒為晶種進行再結晶，以形成多晶半導體薄膜。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 多晶半導體薄膜、薄膜電晶體及其製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201901755 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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