完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳衛國 | zh_TW |
dc.contributor.author | 程峻宏 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:20:42Z | - |
dc.date.available | 2019-04-11T06:20:42Z | - |
dc.date.issued | 2019-02-01 | en_US |
dc.identifier.govdoc | C23C016/46 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151520 | - |
dc.description.abstract | 一種化學氣相沈積裝置,得以在複數個基板上成長薄膜,包括:下熱庫,其上設置有複數個承載盤,每一複數個承載盤上具有複數個基板;上熱庫,該上熱庫以一間距設置於下熱庫上方以形成反應腔,上熱庫包含複數個上熱庫單元;複數個隔板,其設置於下熱庫及上熱庫間以將反應腔分隔為複數個子反應室,該隔板亦可具有絕熱性質,以減少或隔絕複數個子反應室的熱交換;以及進氣裝置,其是對應於複數個子反應室而設置以提供至少一前驅物質進入複數個子反應室中;其中,下熱庫提供薄膜成長所需之基板溫度,而每一該複數個上熱庫單元提供一工作溫度,以使子反應室具有溫度梯度變化。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 化學氣相沈積裝置 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
dc.citation.patentnumber | 201905233 | en_US |
顯示於類別: | 專利資料 |