寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法

Abstract

本發明為一種寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法，其利用一氧化物磊晶薄膜形成於基板，使其具較佳之物理特性，例如:電子漂移飽和速度快，介電常數小，熱穩定性好，且耐高溫。此外，由於氧化物磊晶薄膜為採用一有機金屬化學氣相沉積製程，使得氧化物磊晶薄膜之良率大幅提高，並減少磊晶瑕疵。