完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 洪瑞華 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 李彥助 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 董俊沂 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 蔡錫翰 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 鄭力中 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:20:44Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:20:44Z | - |
| dc.date.issued | 2019-04-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/14 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151531 | - |
| dc.description.abstract | 本發明為一種具寬能隙氧化物之深紫外線感測裝置，其利用一氧化物磊晶感測層設置於基板，使深紫外線(Deep Ultraviolet)感測裝置具較佳之特性， ，且進一步使深紫外線刺激氧化物磊晶感測層之光電流大幅增加，特別是針對深紫外光波段(280-200 nm)之感測效能大為提升。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 具寬能隙氧化物之深紫外線感測裝置 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201913979 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
