統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Effect of different n-electrode patterns on optical characteristics of large-area p-side down InGaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off | 109 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Effect of different n-electrode patterns on optical characteristics of large-area p-side down InGaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000228826900016.pdf | 15 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 11 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Kensington | 5 |
| Menlo Park | 4 |
| Beijing | 1 |
| Sacramento | 1 |
| Wilmington | 1 |