統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| A study of boron diffusion from selectively grown epitaxial silicon-germanium into silicon during rapid thermal annealing | 114 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A study of boron diffusion from selectively grown epitaxial silicon-germanium into silicon during rapid thermal annealing | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 11 |
| 俄羅斯聯邦 | 2 |
| 日本 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 97 |
| Austin | 3 |
| Menlo Park | 3 |
| Kemerovo | 2 |
| Kensington | 2 |
| Buffalo | 1 |