Accurate MOS device hot carrier models for VLSI reliability simulation

標題:	Accurate MOS device hot carrier models for VLSI reliability simulation
作者:	CHUNG, SS YANG, JJ SU, JS 電子工程學系及電子研究所 Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
公開日期:	1995
URI:	http://hdl.handle.net/11536/20003 http://dx.doi.org/10.1109/CICC.1995.518175
ISBN:	0-7803-2585-0
DOI:	10.1109/CICC.1995.518175
期刊:	PROCEEDINGS OF THE IEEE 1995 CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE
起始頁:	233
結束頁:	236
顯示於類別：	會議論文

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