統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Influence of the GaN capping thickness on the strain and photoluminescence properties of InN/GaN quantum dots | 103 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Influence of the GaN capping thickness on the strain and photoluminescence properties of InN/GaN quantum dots | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000315928000026.pdf | 8 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 90 |
| 美國 | 10 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 89 |
| Kensington | 4 |
| Edmond | 2 |
| Menlo Park | 2 |
| Beijing | 1 |
| University Park | 1 |