統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Low Current Collapse and Low Leakage GaN MIS-HEMT Using AlN/SiN as Gate Dielectric and Passivation Layer | 118 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Low Current Collapse and Low Leakage GaN MIS-HEMT Using AlN/SiN as Gate Dielectric and Passivation Layer | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000338846600027.pdf | 84 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 95 |
| 美國 | 16 |
| 台灣 | 5 |
| 印度 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 6 |
| Taipei | 3 |
| Edmond | 1 |
| Kirksville | 1 |
| Mumbai | 1 |