統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| MOCVD growth of highly strained InGaAs : Sb-GaAs-GaAsP quantum well vertical cavity surface-emitting lasers with 1.27 mu m emission | 121 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOCVD growth of highly strained InGaAs : Sb-GaAs-GaAsP quantum well vertical cavity surface-emitting lasers with 1.27 mu m emission | 1 | 2 | 1 | 1 | 1 | 3 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000225890300086.pdf | 14 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 17 |
| 台灣 | 2 |
| 越南 | 2 |
| 巴西 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 8 |
| Kensington | 5 |
| Hanoi | 2 |
| Beijing | 1 |
| Buffalo | 1 |
| Falls Church | 1 |
| Thousand Oaks | 1 |