統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Impact of Strain Layer on Gate Leakage and Interface-State for nMOSFETs Fabricated by Stress-Memorization Technique | 116 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Impact of Strain Layer on Gate Leakage and Interface-State for nMOSFETs Fabricated by Stress-Memorization Technique | 0 | 0 | 1 | 0 | 3 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 16 |
| 台灣 | 2 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 11 |
| Kensington | 2 |
| Taipei | 2 |
| Buffalo | 1 |