統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| A New Charge-Trap-Engineered Memory Device with Silicon-Oxide-Nitride-Vacuum-Silicon (SONVAS) Structure for LTPS-TFT-Based Applications | 107 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A New Charge-Trap-Engineered Memory Device with Silicon-Oxide-Nitride-Vacuum-Silicon (SONVAS) Structure for LTPS-TFT-Based Applications | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 92 |
| 美國 | 12 |
| 印度 | 2 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 91 |
| Menlo Park | 5 |
| Kensington | 3 |
| Edmond | 2 |
| Dearborn | 1 |
| Kirksville | 1 |
| Mumbai | 1 |
| Zhengzhou | 1 |