統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Study of dry etching for GaN and InGaN-based laser structure using inductively coupled plasma reactive ion etching | 114 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Study of dry etching for GaN and InGaN-based laser structure using inductively coupled plasma reactive ion etching | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000220420100010.pdf | 73 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 11 |
| 台灣 | 3 |
| 巴西 | 1 |
| 加拿大 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 5 |
| Kensington | 4 |
| Buffalo | 1 |
| Kirksville | 1 |
| Ottawa | 1 |
| Taipei | 1 |