統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Performance of 850 nm AlGaAs/GaAs implanted VCSELs utilizing silicon implantation induced disordering | 108 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Performance of 850 nm AlGaAs/GaAs implanted VCSELs utilizing silicon implantation induced disordering | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000185129400034.pdf | 22 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 9 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 4 |
| Kensington | 2 |
| Beijing | 1 |
| Dearborn | 1 |
| Edmond | 1 |
| Los Angeles | 1 |