統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| A study of subbands in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures using low-temperature photoluminescence spectroscopy | 98 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A study of subbands in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures using low-temperature photoluminescence spectroscopy | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000176128100026.pdf | 28 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 89 |
| 美國 | 9 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 89 |
| Kensington | 3 |
| Menlo Park | 2 |
| Buffalo | 1 |
| Edmond | 1 |
| Fairfield | 1 |
| Norwalk | 1 |