統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| High performance 0.1 mu m dynamic threshold MOSFET using indium channel implantation | 116 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| High performance 0.1 mu m dynamic threshold MOSFET using indium channel implantation | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000085620800011.pdf | 21 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 93 |
| 美國 | 15 |
| 台灣 | 3 |
| 愛爾蘭 | 2 |
| 南韓 | 2 |
| 德國 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 88 |
| Menlo Park | 6 |
| Beijing | 4 |
| Kensington | 4 |
| Edmond | 2 |
| Dallas | 1 |
| Nanning | 1 |
| Thousand Oaks | 1 |
| University Park | 1 |