統計資料

總造訪次數

檢視
A comprehensive study of hot carrier stress-induced drain leakage current degradation in thin-oxide n-MOSFET's 113

本月總瀏覽

六月 2025 七月 2025 八月 2025 九月 2025 十月 2025 十一月 2025 十二月 2025
A comprehensive study of hot carrier stress-induced drain leakage current degradation in thin-oxide n-MOSFET's 0 0 0 0 0 4 0

檔案下載

檢視
000082242500010.pdf 77

國家瀏覽排行

檢視
中國 99
美國 12
台灣 1

縣市瀏覽排行

檢視
Shenzhen 96
Menlo Park 8
Zhengzhou 2
Beijing 1
Dallas 1
Kensington 1
Thousand Oaks 1