統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Light Extraction Efficiency Enhancement of GaN-Based Light Emitting Diodes on n-GaN Layer Using a SiO(2) Photonic Quasi-Crystal Overgrowth | 112 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Light Extraction Efficiency Enhancement of GaN-Based Light Emitting Diodes on n-GaN Layer Using a SiO(2) Photonic Quasi-Crystal Overgrowth | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 98 |
| 美國 | 11 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Kensington | 6 |
| Beijing | 3 |
| Menlo Park | 2 |
| Wilmington | 2 |
| Edmond | 1 |