統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 利用高介電長數HfAlO之元素含量做為阻擋層應用在非揮發性記憶體上之研究 | 113 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 利用高介電長數HfAlO之元素含量做為阻擋層應用在非揮發性記憶體上之研究 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 155602.pdf | 2 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 15 |
| 加拿大 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 93 |
| Menlo Park | 8 |
| Beijing | 4 |
| Kensington | 3 |
| Edmond | 2 |
| Ottawa | 1 |
| Thousand Oaks | 1 |