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dc.contributor.author李岳勳en_US
dc.contributor.author謝文峰en_US
dc.contributor.author徐嘉鴻en_US
dc.date.accessioned2014-12-12T01:17:00Z-
dc.date.available2014-12-12T01:17:00Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009524509en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/38888-
dc.description.abstract藉由一層珈瑪氧化鋁緩衝層將高品質氧化鋅薄膜以雷射濺鍍方法磊晶成長於(111)面的矽晶圓上,此珈瑪氧化鋁緩衝層含有以晶面(111)為軸向的兩種彼此旋轉60度的結構空間分布。樣品在垂直表面方向的磊晶結構關係為氧化鋅(0002)//珈瑪氧化鋁{22-4}或{4-2-2}//矽晶圓{22-4}。利用X光繞射、穿透式電子顯微鏡與螢光光譜來量測氧化鋅的晶體結構與光學特性,我們發現深層能階發光的強度相對於能隙發光強度比與薄膜的phi角半高寬大小有明顯的關聯;而能隙發光光譜的半高波寬分布大小與薄膜的表面晶面方向分布有關。這個關聯也就代表螺旋型差排缺陷主要與能隙發光光譜有關,而邊刃型差排缺陷主要與深層能階發光有關。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject磊晶zh_TW
dc.subject繞射zh_TW
dc.subject穿透式電子顯微鏡zh_TW
dc.subject螢光光譜zh_TW
dc.subjectepitaxyen_US
dc.subjectXRDen_US
dc.subjectTEMen_US
dc.subjectPLen_US
dc.title利用珈瑪氧化鋁為緩衝層成長於(111)矽晶圓的氧化鋅磊晶薄膜之結構與光性研究zh_TW
dc.titleStructural and optical properties of ZnO epi-layer grown on Si(111) using a ga-Al2O3 buffer layeren_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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