兩層式寫入緩衝區的管理階層於固態硬碟上之應用

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林燕屏	en_US
dc.contributor.author	Lin, Yen-Ping	en_US
dc.contributor.author	張立平	en_US
dc.contributor.author	Chang, Li-Pin	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T01:20:24Z	-
dc.date.available	2014-12-12T01:20:24Z	-
dc.date.issued	2008	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009567602	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/39875	-
dc.description.abstract	快閃記憶體廣泛應用於嵌入式系統中，隨著快閃記憶體的容量快速提升以及成本下降，使用NAND快閃記憶體的固態硬碟(SSD)取代傳統硬碟，成為可攜式儲存裝備的最佳選擇。但由於NAND快閃記憶體的特性不同於一般快閃記憶體，現存的FTL/NFTL對於固態硬碟的管理並未有良好的效率。因此本篇論文設計了Two-Level的Write Buffer來管理寫入的資料，並將資料重整後寫入固態硬碟，不但能有效減少NAND快閃記憶體性能的劣化，更能有效地提升整體系統的效率。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	固態硬碟	zh_TW
dc.subject	寫入緩衝區	zh_TW
dc.subject	NAND快閃記憶體	zh_TW
dc.subject	SSD	en_US
dc.subject	Write Buffer	en_US
dc.subject	NAND Flash	en_US
dc.subject	NFTL	en_US
dc.title	兩層式寫入緩衝區的管理階層於固態硬碟上之應用	zh_TW
dc.title	A Two-Level Write-Buffer Management Scheme for Solid-State Disks	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	資訊學院資訊學程	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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