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dc.contributor.author郭特民en_US
dc.contributor.authorTe-Ming Kuoen_US
dc.contributor.author張瑞川en_US
dc.contributor.authorRuei-Chuan Changen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T01:26:19Z-
dc.date.available2014-12-12T01:26:19Z-
dc.date.issued2007en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009067573en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/41502-
dc.description.abstractDisksim 具有效率、精確、高度彈性的特性,能模擬磁碟、控制器、匯流排、驅動程式、排程程式、磁碟快取記憶體、磁碟陣列等儲存系統的效能,因此廣泛地應用於儲存系統研究中。然而,在要求質輕、省電的嵌入式系統中,大部份是採用快閃記憶體為儲存媒介,其中尤以 NAND 快閃記憶體較適合作為資料儲存之用。然而,Disksim只適用於磁碟系統,因此本研究的目的就是在既有的Disksim 4.0功能外,加入NAND 快閃記憶體儲存裝置及控制器,延伸其功能使其適用於快閃記憶體儲存系統。 我們首先研究 Disksim 的執行環境,分析其輸入、輸出,以了解其功能與特性。然後我們分析常見之快閃記憶體儲存系統的硬體架構,歸納這些系統的拓撲架構定義,因此定義本論文所需實作的Disksim快閃記憶體裝置、控制器軟體模組及其效能統計參數。我們參考多份廠商公布之快閃記憶體規格,定義快閃記憶體裝置的存取時間參數,並實作控制器的 FTL 界面作為範例,可為後續修改 FTL 之參考。 我們使用內建快閃記憶體控制器的RTD2950作為實驗平台,比較存取Hynix HY27UF082G2B的命令時間與 Disksim 修改後的模擬結果,誤差僅在5.84%以內,因此證實本研究之實用性與正確性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject快閃記憶體zh_TW
dc.subjectNANDzh_TW
dc.subjectdisksimen_US
dc.subjectnanden_US
dc.title基於 Disksim 之 NAND 快閃記憶體磁碟模擬器zh_TW
dc.titleA NAND Flash Disk Simulator Based on Disksimen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department資訊學院資訊學程zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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