完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 郭特民 | en_US |
dc.contributor.author | Te-Ming Kuo | en_US |
dc.contributor.author | 張瑞川 | en_US |
dc.contributor.author | Ruei-Chuan Chang | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T01:26:19Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T01:26:19Z | - |
dc.date.issued | 2007 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009067573 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/41502 | - |
dc.description.abstract | Disksim 具有效率、精確、高度彈性的特性,能模擬磁碟、控制器、匯流排、驅動程式、排程程式、磁碟快取記憶體、磁碟陣列等儲存系統的效能,因此廣泛地應用於儲存系統研究中。然而,在要求質輕、省電的嵌入式系統中,大部份是採用快閃記憶體為儲存媒介,其中尤以 NAND 快閃記憶體較適合作為資料儲存之用。然而,Disksim只適用於磁碟系統,因此本研究的目的就是在既有的Disksim 4.0功能外,加入NAND 快閃記憶體儲存裝置及控制器,延伸其功能使其適用於快閃記憶體儲存系統。 我們首先研究 Disksim 的執行環境,分析其輸入、輸出,以了解其功能與特性。然後我們分析常見之快閃記憶體儲存系統的硬體架構,歸納這些系統的拓撲架構定義,因此定義本論文所需實作的Disksim快閃記憶體裝置、控制器軟體模組及其效能統計參數。我們參考多份廠商公布之快閃記憶體規格,定義快閃記憶體裝置的存取時間參數,並實作控制器的 FTL 界面作為範例,可為後續修改 FTL 之參考。 我們使用內建快閃記憶體控制器的RTD2950作為實驗平台,比較存取Hynix HY27UF082G2B的命令時間與 Disksim 修改後的模擬結果,誤差僅在5.84%以內,因此證實本研究之實用性與正確性。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 快閃記憶體 | zh_TW |
dc.subject | NAND | zh_TW |
dc.subject | disksim | en_US |
dc.subject | nand | en_US |
dc.title | 基於 Disksim 之 NAND 快閃記憶體磁碟模擬器 | zh_TW |
dc.title | A NAND Flash Disk Simulator Based on Disksim | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 資訊學院資訊學程 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |