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dc.contributor.author陳聖凱en_US
dc.contributor.authorChen, Sheng-Kaien_US
dc.contributor.author鄭晃忠en_US
dc.contributor.authorCheng, Huang-Chungen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T01:26:56Z-
dc.date.available2014-12-12T01:26:56Z-
dc.date.issued2008en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079611510en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/41645-
dc.description.abstract本綸文中,我們利用一種簡單且低成本的方式製作出具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜電晶體的SONOS非揮發性記憶體(FEN POST SONOS)。在製作過程中我們利用間隙壁技術(Spacer Technique)來製作奈米通道而不需要用先進的微影技術。由於電場增強式的奈米線結構能有效的提升穿隧氧化層的電場同時降低阻擋氧化層 (blocking oxide) 電場,因此能有效的提高寫入、抹除速率。在第三章中,我們提出了另一種以真空取代穿隧氧化層的FEN POST SONVAS非揮發性記憶體結構去更進一步提升前面所提出的FEN POST SONOS非揮發性記憶體的耐久性。此外,由於真空的低介電係數特性能更有效的提升穿隧層(tunneling layer)的電場,我們提出的FEN POST SONVAS非揮發性記憶體也表現出比先前所提的FEN POST SONOS非揮發性記憶體擁有更好的寫入與抹除效率。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject非揮發性記憶體zh_TW
dc.subject電場增強zh_TW
dc.subject奈米線zh_TW
dc.subjectSONOSen_US
dc.subjectfield enhanceden_US
dc.subjectnanowireen_US
dc.title具電場增強式奈米線結構之複晶矽薄膜 電晶體非揮發性記憶體之研究zh_TW
dc.titleStudy on the Poly-Si TFT Nonvolatile Memory with a Field-Enhanced-Nanowire Structureen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文


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  1. 151001.pdf

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