氟離子摻雜二氧化錫薄膜的光電性質研究

Abstract

關於在大氣環境下以二氯化錫為起始物，用熱裂解噴塗法所做的薄膜研究，我們所量到的薄膜片電阻是目前報導過最低的6 × 10−4 Ω-cm，透光性也是目前最好的92%。傳統上，雖然氟摻雜二氧化錫薄膜(FTO)有很多良好的性質如熱穩定性、耐蝕刻，但大部分螢幕顯示器都使用錫摻雜氧化銦薄膜(ITO)而不用FTO薄膜的原因在於，FTO薄膜光穿透率低，導電性也沒有ITO好。 所以本實驗的目的在於改善FTO薄膜光穿透性與導電性，期待將來FTO取代ITO薄膜應用在螢幕顯示器上。實驗結果顯示，適當地調控氟離子摻雜量與工作溫度，有助於降低薄膜的導電性，為了進一步提升薄膜穿透性，我們改變載氣體中氧氣的比例，實驗結果顯示隨著氧氣比例增加確實提升了薄膜透光性。