統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究 | 128 |
本月總瀏覽
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 156001.pdf | 8 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 109 |
| 美國 | 12 |
| 台灣 | 6 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Hebei | 7 |
| Kensington | 7 |
| Beijing | 6 |
| Menlo Park | 5 |
| Taipei | 3 |
| Taichung | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究 | 128 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 156001.pdf | 8 |
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 109 |
| 美國 | 12 |
| 台灣 | 6 |
| 愛爾蘭 | 1 |
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Hebei | 7 |
| Kensington | 7 |
| Beijing | 6 |
| Menlo Park | 5 |
| Taipei | 3 |
| Taichung | 1 |