數值模擬晶棒成長之熱流分析

标题:	数值模拟晶棒成长之热流分析 Numerical Simulations of Crystal Growth
作者:	陈柏玮 Chen, Po-Wei 陈庆耀 Chen, Ching-Yao 机械工程学系
关键字:	电脑模拟;热传;紊流对流;Cz长晶法;矽晶棒;Computer simulation;Heat transport;Turbulent convection;Czochralski method;Silicon crystal
公开日期:	2009
摘要:	本研究模拟在cusp磁场下，变化磁场强度及变化电磁线圈的高度位置对Cz长晶法之矽熔汤流场和温度场的影响，同时也探讨固液界面形状和矽晶棒拉速及其温度梯度的比值(V/G值) 变化。统御方程式包含动量方程式、热传方程式以及电流流动方程式。紊流效应和因气体流动而在气液界面上所产生的剪切应力效应均考虑于本研究中。本文采用商用软体CGsim (版本9.02) 进行计算。从模拟的结果可以推测出磁线圈往上移动较多时会导致矽熔汤流速减慢、坩埚中心处的温度梯度上升、坩埚底部的温度升高以及矽熔汤流场的不稳定。坩锅内低温区的范围会朝向固液界面的方向缩小。此外，界面的变化差异和V/G值均会随调整磁线圈的高度而降低。
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079714548 http://hdl.handle.net/11536/44708
显示于类别：	Thesis

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APA	陈., Chen, P., 陈., & Chen, C. (2009). 数值模拟晶棒成长之热流分析. http://hdl.handle.net/11536/44708.
Bibtex	@article{陈柏玮 and Chen2009, title={数值模拟晶棒成长之热流分析}, author={陈柏玮 and Chen, Po-Wei and 陈庆耀 and Chen, Ching-Yao}, journal={http://hdl.handle.net/11536/44708}, year={2009}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/44708?locale=zh_CN}, }