标题: 砷化镓低噪音假晶高电子迁移率电晶体之铜金属化导线制程
Copper-Metallized Interconnects on GaAs Low Noise Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors
作者: 张晃崇
Huang-Choung Chang
张翼
Edward Yi Chang
材料科学与工程学系
关键字: 砷化镓;低噪音;假晶高电子迁移率电晶体;空气桥;铜金属化;GaAs;Low Noise;PHEMT;Airbridge;Cu-Metallized
公开日期: 2003
摘要: 这篇论文研究使用在砷化镓上面的铜金属扩散障碍层之特性,并探讨铜金属化萧特基接触以及铜金属化导线制程应用在砷化镓元件上之可行性。在这些扩散障碍层的研究中,耐火金属以及耐火金属之氮化物被应用在铜金属化萧特基二极体以及铜金属化导线制程之制作。
本篇研发之砷化镓萧特基二极体,其萧特基结构使用铜金属,并使用耐火金属作为障碍层。这种萧特基结构具有比传统钛/铂/金萧特基结构更低的串联电阻。根据电性及材料分析,钛/钴/铜以及钛/钼/铜之热稳定性可达摄氏四百度,而钛/钴/铜萧特基结构之热稳定性可达摄氏三百度。总而言之,铜金属化萧特基结构具有优良的电性及热稳定性,并且可应用于砷化镓元件的萧特基金属制程。
在本实验中使用氮化钨作为铜金属化导线制程之扩散障碍层。这是由于氮化钨和传统制程上有高度的相容性。本实验发展使用铜金属化导线之砷化镓低噪音假晶高电子迁移率电晶体之制程。此制程使用溅镀氮化钨作为扩散障碍层并使用钛金属作为附着层。制作出来的低噪音砷化镓假晶高电子迁移率电晶体在操作频率为十八兆赫兹时,元件噪音最低可达一点零九分贝、相关增益值可达六点九分贝。经过摄氏两百五十度的高温退火二十个小时以后,铜金属以及下层的接触金属间并没有金属原子交互扩散的现象;元件特性在经过热退火以后并未产生明显的变化。这个结果显示铜金属化空气桥制程可以应用在低噪音假晶高电子迁移率电晶体上。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT008718539
http://hdl.handle.net/11536/46223
显示于类别:Thesis


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