統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| A COMPUTER-AIDED SIMULATION-MODEL FOR THE IV CHARACTERISTIC OF M-N-P SILICON SCHOTTKY-BARRIER DIODES PRODUCED BY USE OF LOW-ENERGY ARSENIC-ION IMPLANTATION | 113 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A COMPUTER-AIDED SIMULATION-MODEL FOR THE IV CHARACTERISTIC OF M-N-P SILICON SCHOTTKY-BARRIER DIODES PRODUCED BY USE OF LOW-ENERGY ARSENIC-ION IMPLANTATION | 0 | 0 | 0 | 0 | 8 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 7 |
| 加拿大 | 6 |
| 巴西 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 95 |
| Ottawa | 6 |
| Kensington | 4 |
| Beijing | 2 |
| Menlo Park | 2 |
| Kirksville | 1 |