金氧半場效電晶體積體電路的設計及製造技術

Abstract

利用離子植入，矽閘及雙擴散等方法研究金氧半場效電晶體的一些電氣特性，其中包 括短通道效應，臨界電壓控制，並以計算機加以模擬。藉四種不同結構的幾通道反向 器的設計及製造，探討各種不同結構及技術所得的電氣特性，發現雙擴散金氧半場效 電晶體反向器的轉換特性是一種不受元件寬長比所限的積體電路。根據各種不同反向 器的電氣特性，本文成功地設計及製造完成一個四位元的幾通道金氧半場效電晶體積 體電路（T2個電晶體），並發現實驗所得的成功率甚高。根據本實驗所得，國內發展 完全自製（包括面幕設計及製造）的金氧半場效電晶體大型積體電路是可行的。