複晶矽電阻器的傳輸特性及新理論

Abstract

本文考慮載體捕捉及雜質離析效應, 發展完成一種多數載體在復晶矽膜中的新傳導模 式。此種模式可以準確預估復晶矽膜之需氣特性對制程參數的依賴性。 本文利用離子布植法, 制造完成具有磷雜質的復晶矽電阻器, 另亦測出復晶矽膜之電 阻系數對溫度的關系, 發現實驗的數據與計算機模擬的結果相當吻合。 同時, 本文亦對具有硼及砷雜質的復晶矽電阻器加以計算機模擬, 模擬的結果與前人 發表的實驗數據完全一致。